搜索关键词 晶圆键合
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Micron不再推进4F² DRAM量产，转向6F²迭代与3D DRAM
Micron已决定不将研究近20年的4F² DRAM导入实际产品。公司认为，该架构在工艺复杂度、制造成本以及先进制程下的持续微缩能力方面难以满足量产要求，因此将继续沿6F²路线推进DRAM迭代，并将3D DRAM视为长期替代方向。按规划，Micron的1δ节点目标于2027年下半年进入量产。
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Samsung Electronics布局zHBM：拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方
为重夺HBM主导权，Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过，其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现，业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。
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Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND，并公布zHBM与zNAND-O两项新架构
Samsung Electronics在FMS 2026首次面向行业展示下一代3D存储架构zHBM和zNAND-O，并公开400层以上V10 BV-NAND。公司表示，zHBM通过垂直堆叠缩短数据传输路径，采用zHBM的下一代接口系统性能最高可达HBM5的8倍，能效最高提升至3倍。