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KAIST开发二维半导体新结构 有望缓解接触电阻“电流瓶颈”

KAIST联合Sungkyunkwan University研究团队在二维材料PtSe₂单层薄膜中连续构建准金属区和半导体区,提出一种可减少界面电流阻滞的新结构。团队借助原子力显微镜(AFM)在纳米尺度验证了电荷传输过程,并确认在该结构中可通过电场稳定调控电流。该成果有望用于降低二维半导体器件接触电阻,并拓展至AI半导体、超低功耗半导体和下一代逻辑半导体研发。