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Samsung Electronics加入ASML“大型掩膜联盟” 最早2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV
Samsung Electronics宣布加入ASML主导的“大型掩膜联盟”，将推进12英寸光掩膜联合开发，并计划最早于2028年把High NA EUV用于先进DRAM工艺。公司预计此举将有助于提升生产效率、降低制造成本，同时进一步深化双方在先进存储领域的合作。
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ZEISS在韩国龙仁启用半导体创新中心 加码本地客户合作
ZEISS宣布在韩国京畿道龙仁启用“ZEISS半导体创新中心”。该中心面积约350平方米，配备光掩膜修复、高精度计量与检测解决方案，面向韩国客户在半导体量产和先进封装环节提供方案开发、工艺优化及验证支持，以缩短研发到导入应用的周期。
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TSMC一家独大现松动迹象，Samsung Electronics迎来追赶窗口
全球晶圆代工格局出现松动。机构预计，TSMC在2026年市场份额将小幅回落，先进封装和后道产能正成为左右竞争格局的关键变量。Samsung Electronics有望借助2nm率先量产和潜在客户合作寻求增长，但2nm晶圆成本较3nm或高出约30%；与此同时，SMIC持续扩产，Intel借“Terafab”项目争夺AI大客户，追赶力量进一步扩围。
