Ngày 12/10 (giờ địa phương), Kioxia công bố công nghệ SSD mới đạt hơn 20 triệu IOPS ở tác vụ đọc ngẫu nhiên, qua đó tăng hiện diện trong mảng lưu trữ hiệu năng cao dành cho trung tâm dữ liệu AI.

Theo TechRadar, hãng đã giới thiệu một biến thể hiệu năng cao hơn của dòng GP, đạt hơn 20 triệu IOPS với khối 512 byte. Mức này cao gấp đôi so với khoảng 10 triệu IOPS của GP1 mà Kioxia công bố hồi tháng 8.

IOPS là số tác vụ vào/ra mà thiết bị lưu trữ có thể xử lý trong một giây. Chỉ số này càng cao thì thiết bị càng có lợi thế trong các tác vụ đọc, ghi lặp lại với những khối dữ liệu nhỏ.

Trọng tâm của đợt nâng cấp nằm ở bộ nhớ XL-FLASH thế hệ thứ ba. Theo Kioxia, hiệu năng đọc của thế hệ mới cao gấp ba lần thế hệ trước, trong khi hiệu năng ghi tăng khoảng 150%. Hãng cũng rút ngắn đường truyền nội bộ để giảm độ trễ tín hiệu điện, đồng thời tăng số plane trên mỗi die nhớ.

Kioxia cho biết công nghệ này được phát triển cho các hệ thống AI, nơi GPU cần truy cập nhanh vào lượng dữ liệu lớn. Định hướng của hãng là sử dụng SSD như một tầng lưu trữ tốc độ cao nhằm bổ sung cho bộ nhớ, thay vì thay thế hoàn toàn DRAM hoặc bộ nhớ băng thông cao HBM vốn có chi phí đắt đỏ.

GP1 hiện hỗ trợ PCIe 6.0 và NVMe 2.2, với độ bền tối đa 50 DWPD. Tuy nhiên, Kioxia chưa công bố giao tiếp, độ bền cũng như thời điểm ra mắt của biến thể mới do sản phẩm hiện mới dừng ở giai đoạn trình diễn công nghệ.

Cùng với đó, Kioxia cũng giới thiệu SSD LD4 dành cho các trung tâm dữ liệu dung lượng lớn. Sản phẩm sử dụng NAND flash QLC BiCS 8 218 lớp, có hai tùy chọn dung lượng 15.36TB và 30.72TB, đồng thời được thiết kế để có thể mở rộng tối đa lên 122.88TB.

Hiện LD4 đã được gửi mẫu đánh giá tới một số khách hàng, song tốc độ đọc/ghi thực tế và độ bền vẫn chưa được công bố. Trong bối cảnh hạ tầng AI tiếp tục mở rộng, cuộc đua trong mảng lưu trữ hiệu năng cao và dung lượng lớn cũng ngày càng nóng lên.