随着存储厂商将晶圆产能加速转向高带宽内存（HBM）和DDR5，通用DRAM供应持续收紧，价格上涨压力正迅速传导至终端硬件市场。业内预计，今年智能手机和PC整机制造成本将上升15%至40%，相关影响还可能进一步蔓延至零部件、材料及上游原材料供应环节。

据业内消息，存储厂商加大HBM投产力度，直接压缩了用于智能手机和PC的通用DRAM供应。在成本持续上行的背景下，新增负担最终将由消费者、整机厂商、零部件与材料企业，或上游原材料供应商中的某一方承担。

HBM主要面向AI服务器市场，产品单价明显高于通用DRAM。由于HBM采用多层堆叠方式以提升带宽，其生产过程中对晶圆资源的占用也更高，尤其在堆叠封装环节，良率损耗相对更大。DS Investment & Securities数据显示，若以比特数计算，生产1比特HBM所需的晶圆投入约相当于3比特通用DRAM；若进一步计入良率因素，明年的实际晶圆消耗倍数将达到7倍。

今年主要DRAM厂商名义月产能为200.5万片晶圆。若计入HBM对晶圆资源的占用，实际可用于其他DRAM产品的产能将降至154.3万片，其中约46.2万片晶圆产能被HBM占用。按照出货占比估算，今年HBM在SK hynix和Samsung Electronics中的占比分别为14%和12%。这一比例越高，留给通用DRAM的晶圆资源就越少。

供给紧张最早出现在DDR5，如今已进一步蔓延至上一代产品DDR4。由于厂商优先保障HBM和DDR5产能，利润率相对较低的DDR4产量被持续压缩。Morgan Stanley预计，DDR4价格在第三季度较第二季度最高将上涨50%，第四季度还将进一步上涨10%以上。

目前，DDR4仍广泛用于企业级台式机、自助终端和工业系统。此前部分需求为了规避DDR5高价而转向旧平台，如今也不得不承受这一轮涨价压力。受AI服务器需求带动的供给紧张，正从高规格DRAM扩散至旧世代产品及更广泛的终端市场。DS Investment & Securities估算，今年DRAM市场供需缺口为5.0%，明年为1.9%。该机构还预计，供应偏紧局面可能长期持续：2026年至2035年，实际供给能力年均增速为11.9%，低于整体DRAM比特需求约13%的年均增速。

SK Securities预计，存储器价格涨幅可能达到三位数百分比，AP、通信模组和基板价格也将至少上涨20%至30%，高位情况下甚至可能超过50%，其中存储器涨幅最大。该机构指出，随着显示屏和摄像头规格持续升级，加之内外装材料中的金属、以及辅料中的化工原料价格上涨，整机成本几乎已没有明显下调空间。

成本上行的影响也在向终端产品及更上游供应链扩散。TrendForce预计，随着HBM及晶圆价格上涨，NVIDIA服务器GPU价格可能在2027年第一季度后上调10%至20%。

不过，整机厂商想要将全部成本压力转嫁给终端售价，同样并不容易。受中国市场需求疲弱影响，全球整机出货量自第一季度起已转为负增长；Samsung Electronics Galaxy今年销量预计下滑，中国厂商也计划减产20%至35%。在终端提价空间有限的情况下，难以向消费者转嫁的成本，将进一步回流至供应链内部。

SK Securities表示，整机厂商正加强对零部件和材料供应商的压价力度。若相关企业无法消化新增成本压力，负担还将继续向更上游的原材料供应商传导。