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AI & Enterprise
Intel公开ZAM垂直堆叠存储技术，瞄准HBM替代方案
Intel计划通过将在VLSI会议上发表的论文介绍Z Angle Memory（ZAM）技术。这是一种采用9层垂直堆叠和融合键合工艺的新型存储方案，目标是在提升带宽的同时降低功耗。该技术由日本Saimemory Corporation推进商业化，性能据称可达到HBM3的2至3倍，但量产验证和生态竞争仍存不确定性。
Industry
KAIST研发新型BON隧穿层，突破3D V-NAND高密度集成瓶颈
KAIST表示，该校电气与电子工程系教授Byungjin Cho团队在3D V-NAND隧穿层中引入硼氧氮化物（BON），并设计出非对称能量势垒结构，在提升擦除效率的同时抑制存储电子泄漏，破解了高密度闪存中性能与可靠性难以兼顾的问题。实验显示，相关器件擦除速度最高提升23倍，在PLC条件下的电压状态控制精度提升超过3倍。
Industry
Chipmetrics发力韩国市场，瞄准千层级3D NAND薄膜检测难题
芬兰半导体检测初创公司Chipmetrics借助Semicon Korea 2026进入韩国市场，重点瞄准3D NAND从300层以上向1000层演进的过程中，高纵横比深孔结构内的薄膜检测需求。公司表示，其侧向高纵横比测试结构可将单次分析时间压缩至约3分钟，并支持日处理数百个样本，目标是进入Samsung Electronics和SK hynix的量产供应链。