AI & Enterprise

KAIST开发二维半导体新结构 有望缓解接触电阻“电流瓶颈”

KAIST联合Sungkyunkwan University研究团队在二维材料PtSe₂单层薄膜中连续构建准金属区和半导体区，提出一种可减少界面电流阻滞的新结构。团队借助原子力显微镜（AFM）在纳米尺度验证了电荷传输过程，并确认在该结构中可通过电场稳定调控电流。该成果有望用于降低二维半导体器件接触电阻，并拓展至AI半导体、超低功耗半导体和下一代逻辑半导体研发。

Industry

东京大学研发新型量子开关器件：低发热下处理速度最高可提升1000倍

东京大学研究团队开发出一种非易失性量子开关器件，可通过电子的磁性状态存储数据。研究显示，该器件处理1比特信息仅需约40皮秒，在降低发热的同时，处理速度最高可达现有方案的1000倍，且可实现超过1000亿次稳定运行。团队计划于2030年前后完成样片芯片开发，但距离量产仍需突破制造工艺、资金投入和供应链配套等环节。