Industry
Viện Khoa học Cơ bản (IBS) phát triển transistor 2D tiêu thụ điện siêu thấp bằng kỹ thuật thay thế nguyên tử
Nhóm nghiên cứu của IBS phát triển công nghệ chế tạo transistor 2D bằng cách thay thế nguyên tử có chọn lọc trên WSe2, đạt mức đóng/mở gần giới hạn lý thuyết và tỷ lệ bật/tắt vượt 10 triệu lần.
