一份最新研究报告警告称，如果先进浸没式深紫外光刻机（DUVi）继续出口至中国，美国及其盟友在AI芯片领域的优势，可能在未来5至10年内明显缩小，甚至消失。报告认为，遏制中国先进AI芯片产能扩张的关键，并不只在芯片本身，而在于进一步收紧对半导体制造设备的出口管制。

据在线媒体GigaZine当地时间6日 报道，美国AI与半导体政策研究机构Technology & Statecraft Center在近期发布的报告中作出上述判断。该机构表示，先进AI芯片的生产能力离不开高端半导体制造设备支撑，而美国及其盟友目前的重要优势之一，正是限制中国获取此类设备。

报告将浸没式深紫外光刻机DUVi列为影响竞争格局的关键变量。此前，美国已对极紫外（EUV）光刻机以及部分高端DUVi实施限制，同时允许部分设备在取得许可后出口。报告指出，如果高端DUVi继续供应中国，中国就有可能逐步建立起足够的先进半导体制造能力。

该机构判断，中国在2030年代中期之前实现先进光刻设备大规模自主商业化的可能性较低。在此之前，中国能够从海外获得多少相关设备，将直接影响其与美国及盟友在AI芯片产能上的差距。报告警告，若现行出口格局持续不变，美国及其盟友在AI芯片领域的领先优势将“缩小甚至消失”。

报告同时将中国已获得的DUVi数量视为另一项关键变量。研究估算显示，自2020年以来，中国以荷兰ASML的NXT:1980i为主，累计获得约300台DUVi。按现有规模看，这一数量尚不足以撼动美国优势；但如果中国继续以相近速度采购NXT:1980i或同类设备，并将其投入AI芯片生产，未来或具备生产“数亿颗H100级芯片”的基础能力。

基于上述判断，报告建议原则上停止DUVi对华出口。报告指出，在现行出口管制框架下，干式DUV以及部分相对低端设备仍可在无需许可的情况下出口至中国；但除干式DUV外，其他相关设备原则上都不应继续对华出口。

报告还认为，现行许可制度本身也存在明显漏洞。名义上，高端设备对华出口需要获得批准，但实际上多数申请仍可获批。该机构指出，若要提高出口管制的实际效果，政策不能停留在形式上的许可要求，而应真正减少中国能够获取的设备数量。

此外，报告提到中国可能通过第三国绕道获取设备的风险。如果荷兰和日本在出口管制上配合不足，美国可能动用海外直接产品规则（FDPR）进一步加码限制。报告还提出，可将相关出口管制规定适用于ASML使用美国技术或设备的生产设施。

在自主研发方面，报告提到，中国国有企业已于2026年7月启动DUV光刻设备生产，但该机构预计，中国短期内仍难以实现先进光刻设备的大规模商业化。

报告最后指出，未来AI芯片主导权之争的核心变量，仍在于中国究竟能够获得多少先进光刻设备。美国是否会实质性收紧DUVi出口限制，并进一步堵住现有许可制度漏洞，将成为影响全球半导体供应链和AI竞争格局的重要因素。