AI & Enterprise

KAIST开发二维半导体新结构 有望缓解接触电阻“电流瓶颈”

KAIST联合Sungkyunkwan University研究团队在二维材料PtSe₂单层薄膜中连续构建准金属区和半导体区，提出一种可减少界面电流阻滞的新结构。团队借助原子力显微镜（AFM）在纳米尺度验证了电荷传输过程，并确认在该结构中可通过电场稳定调控电流。该成果有望用于降低二维半导体器件接触电阻，并拓展至AI半导体、超低功耗半导体和下一代逻辑半导体研发。

Industry

韩国两部门敲定4所NRL 2.0研究所 最高年资助100亿韩元

韩国科学技术信息通信部和教育部29日公布2026年度“国家研究所（NRL 2.0）”遴选结果，4所高校附属研究所入选。根据安排，入选研究所最高可获得每年100亿韩元资助，资助期限最长10年。由于项目将于下半年启动，今年将先按半年额度拨付50亿韩元。