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Telecommunications & Media
SKT启动“RE:FINE Day” 推动闲置IT设备循环利用
在“资源循环之日”前夕，SKT启动电子废弃物循环项目“RE:FINE Day”，面向员工、家属及公司托育机构在园儿童展开。员工提交的闲置手机、平板和笔记本等设备，将由IT设备处理社会企业Reman统一回收并完成数据擦除，再根据可用性分别进入再利用、再制造或拆解回收流程；SKT还将通过相关机构向弱势儿童捐赠再制造数码设备。
Industry
imec公布铁电存储新进展：面向替代DRAM和NAND闪存
在AI数据中心持续推高内存需求、供应趋紧的背景下，欧洲半导体研究机构imec在“2026 IEEE·JSAP VLSI技术与电路研讨会”上公布铁电存储研究新进展，涉及低电压铁电电容和垂直堆叠晶体管两项技术路线，分别面向DRAM和NAND闪存替代方向。目前相关成果仍停留在概念验证阶段。
Industry
KAIST研发新型BON隧穿层，突破3D V-NAND高密度集成瓶颈
KAIST表示，该校电气与电子工程系教授Byungjin Cho团队在3D V-NAND隧穿层中引入硼氧氮化物（BON），并设计出非对称能量势垒结构，在提升擦除效率的同时抑制存储电子泄漏，破解了高密度闪存中性能与可靠性难以兼顾的问题。实验显示，相关器件擦除速度最高提升23倍，在PLC条件下的电压状态控制精度提升超过3倍。