受AI芯片需求快速升温带动，Roundhill Investment旗下内存半导体ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）——以创纪录的速度吸引资金流入。

据CNBC 15日（当地时间）援引金融数据分析机构TMX VettaFi的数据，Roundhill Memory ETF（DRAM）上市仅43天，资产管理规模（AUM）便突破98亿美元（约合14.73万亿韩元），刷新ETF历史上达到这一规模的最快纪录。

这一表现显示，在AI市场加速扩张的背景下，全球资金正进一步向半导体产业链中的核心环节集中。随着AI基础设施建设持续推进，内存半导体的重要性迅速上升，相关企业和产品的市场关注度同步升温。

市场普遍认为，此轮资金快速涌入的关键原因，在于HBM和专用DRAM芯片供应紧张。由于AI基础设施关键环节的供给主要掌握在少数厂商手中，资金因而加快流向相关标的。

Roundhill Investment首席执行官Dave Mazza表示，投资者正越来越清楚地认识到，在AI基础设施建设过程中，最大的瓶颈之一就是内存半导体。当前内存市场正经历罕见的供应短缺，供需失衡也成为推动相关公司股价走强的重要动力。

这一趋势也与内存半导体产业结构的变化叠加有关。过去，内存行业具有较强周期性，往往随宏观景气在繁荣与低迷之间反复波动，原因在于内存芯片长期被视为通用型产品，广泛应用于智能电视、智能手机和汽车等消费电子设备。

但随着AI技术加速演进，以及全球大型科技公司持续扩建超大规模数据中心，传统的行业周期规律正在被打破。Roundhill判断，当前显现的内存供应严重紧张并非短期现象，可能至少持续到2028年。其依据在于，为支持AI模型持续升级所需的超大规模数据中心建设，未来几年仍将不断推高需求。

Roundhill Memory ETF（DRAM）的快速走红，也被市场视为AI投资热潮中的代表性案例。TMX VettaFi研究主管Todd Rosenbluth表示，这只产品的火爆程度足以与过去比特币热潮相提并论；在并非典型散户狂热追捧的情况下，仍能在短时间内吸引如此强劲的资金流入，确实相当罕见。他还指出，主题明确的ETF正为高增长公司提供更直接的投资入口，并持续扩大市场份额。

多家研究机构对这一涨势的短期延续性仍持相对乐观态度。Citi Research总监Drew Pettit表示，当前价格上行动能背后，有企业业绩增长作为支撑。从包括美国在内的全球量化指标来看，今年盈利预期上调幅度最大的板块正是内存半导体。

在此背景下，市场也出现一种观点：即便相关股价短期内已上涨300%，估值仍处于相对合理区间，因为未来几年的盈利预期较此前已上修6至8倍以上。即使近期市场出现短期波动，DRAM相关产品仍展现出较强竞争力。