Hanwha Semitech宣布，已完成第二代混合键合设备SHB2 Nano的开发，并计划于今年上半年向客户交付测试。公司正计划在TC bonder之后，以混合键合技术进一步切入下一代半导体设备市场。

混合键合设备主要用于芯片间铜对铜直接键合，被视为提升面向AI应用的高带宽存储器（HBM）性能和生产效率的下一代关键技术。该技术有助于实现16至20层HBM的更薄型化设计。由于芯片之间无需凸点连接，数据传输速度可进一步提升，同时有助于降低功耗。

据介绍，SHB2 Nano采用超高精度对准技术，对准误差控制在0.1微米级，约相当于头发丝直径的千分之一。Hanwha Semitech表示，在第一代产品之后，公司已完成第二代设备开发，接下来将加快推进面向量产的设备上市。

Hanwha Semitech相关人士表示，公司持续投入先进技术研发，攻克混合键合相关技术难题，目前产品已具备进一步推进市场化的基础。此次新技术开发，也为公司在先进封装市场抢占先机增添了筹码。

与此同时，公司也在巩固TC bonder市场地位。Hanwha Semitech表示，去年TC bonder产品SFM5 Expert实现营收超过900亿韩元；今年1月和2月又连续签订供货合同。公司在半导体业务带动下，于去年第四季度实现扭亏为盈。距离其于去年3月首次正式交付TC bonder，约过去一年时间。

面向下一代HBM设备市场，Hanwha Semitech也在推进第二代TC bonder开发。公司计划今年推出加大键合头尺寸的TC bonder，以及缩小芯片间距的无助焊剂（fluxless）TC bonder。与此同时，公司正持续扩大新技术研发投入，去年半导体相关研发费用同比增长超过50%。

随着Hanwha集团推进分拆相关安排，若技术解决方案业务纳入新设控股公司体系，公司预计研发投入和集团协同效应将进一步扩大。Hanwha Semitech相关人士表示，公司正围绕快速变化的先进半导体市场，集中推进前瞻性技术研发，并将通过持续投入与创新，成长为具备差异化技术竞争力的先进半导体解决方案企业。