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Samsung Electronics举行Lee Kun-hee逝世六周年追思活动，回顾半导体登顶全球第一历程

10月23日，Samsung Electronics在京畿道水原家族墓园举行Lee Kun-hee逝世六周年追思活动，并回顾其在半导体布局、经营革新和文化遗产捐赠等方面留下的足迹。公司表示，早年押注半导体的决定为AI时代竞争力奠定基础。数据显示，2026年第二季度，Samsung Electronics的DRAM和NAND市场份额分别达到39.4%和29.3%，均位居全球第一。

Industry

Micron不再推进4F² DRAM量产，转向6F²迭代与3D DRAM

Micron已决定不将研究近20年的4F² DRAM导入实际产品。公司认为，该架构在工艺复杂度、制造成本以及先进制程下的持续微缩能力方面难以满足量产要求，因此将继续沿6F²路线推进DRAM迭代，并将3D DRAM视为长期替代方向。按规划，Micron的1δ节点目标于2027年下半年进入量产。