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Samsung Electronics、SK hynix加快在华NAND工厂升级 应对YMTC竞争压力

面对AI数据中心带来的存储需求增长，以及YMTC在中国市场份额持续攀升，Samsung Electronics和SK hynix正加快升级在华NAND产线。Samsung计划在西安工厂导入286层V9 NAND并提升产能，SK hynix则推动大连工厂向240层以上产品升级。相关项目仍需在美国出口管制框架下推进。

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CXMT公布下一代DRAM研发进展 全球存储股承压

中国DRAM厂商CXMT公布新一代存储单元架构研发进展后，市场对其技术追赶速度的担忧升温，全球存储板块随之承压。Micron美国盘前一度下跌3.7%，SK hynix与Samsung Electronics分别下跌10%和7.4%。尽管CXMT市场份额持续提升、海外扩张预期升温，但相关技术能否转化为量产能力，并进一步切入HBM市场，仍有待观察。