搜索关键词 二维材料
AI & Enterprise
KAIST开发二维半导体新结构 有望缓解接触电阻“电流瓶颈”
KAIST联合Sungkyunkwan University研究团队在二维材料PtSe₂单层薄膜中连续构建准金属区和半导体区,提出一种可减少界面电流阻滞的新结构。团队借助原子力显微镜(AFM)在纳米尺度验证了电荷传输过程,并确认在该结构中可通过电场稳定调控电流。该成果有望用于降低二维半导体器件接触电阻,并拓展至AI半导体、超低功耗半导体和下一代逻辑半导体研发。
AI & Enterprise
KAIST研发二维半导体自动筛选技术:显微镜图像即可完成样品筛选并对接晶体管制备
KAIST联合UNIST等机构开发出一套二维半导体自动化筛选流程,可利用光学显微镜图像中的RGB亮度差异识别MoS2薄片厚度,并自动完成电极设计。经AFM验证,该技术可区分3层到8层MoS2薄片的厚度差异,已从逾12万片薄片中筛选目标样品,并制备、分析1615个晶体管,证实了厚度与电学性能之间的关系。
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韩国科学技术信息通信部第一副部长赴IBS调研 聚焦量子竞争力提升
韩国科学技术信息通信部第一副部长Gu Hyeok-chae日前赴基础科学研究院(IBS)二维量子异质结构研究团队调研,实地察看量子科研设备和实验空间,并与科研人员座谈交流。双方围绕量子基础研究生态建设、人才培养、关键材料自主可控等议题交换了意见。