[디지털투데이 고성현 기자] 삼성전자가 업계 최선단인 12나노급 공정의 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다. 이와 관련 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.

이번 D램은 업계 최선단인 12나노미터(㎚)급 공정이 적용됐다. 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위해 혁신적인 설계를 거쳤다. 또 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 집적도도 업계 최고 수준으로 높였다. 이로 인해 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

DDR5 규격인 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리하는 속도다. 소비 전력은 이전 세대보다 약 23% 개선돼 저전력 고효율을 자랑한다.

삼성전자는 성능과 전력 효율 개선으로 12나노급 D램 라인업을 확대할 계획이다. 데이터센터, 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다. 양산은 내년부터 시작한다. 삼성전자는 글로벌 IT기업과 협력해 차세대 D램 시장을 견인하겠단 포부다.

이번 발표로 삼성전자는 메모리반도체 업계의 리더십을 한층 더 확고히 했다. 10나노 4세대급인 14나노 D램은 EUV 적용 및 수율 등의 문제가 겹치며 마이크론 등 경쟁사 대비 개발이 늦었지만, 5세대인 12나노급 발표하며 다시 기술 초격차 리더십을 되찾게 됐다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 밝혔다.

조 매크리 AMD 최고기술책임자는 "기술의 한계를 뛰어 넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너간 긴밀한 협력이 필요하다"며 "AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다"고 말했다.