경계현 삼성전자 사장 [사진: 삼성전자]
경계현 삼성전자 사장 [사진: 삼성전자]

[디지털투데이 석대건 기자] 삼성전자가 2~3년 내 반도체 1위 탈환을 주주에게 약속했다.

20일 삼성전자 제55기 정기 주주총회에서 경계현 사장이 주주들에게 올해 DS부문 경영전략에 대해 설명했다고 전했다.

경 사장은 주주총회에서 "2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한지 50년이 되는 해로 본격 회복을 알리는 재도약과 DS의 미래 반세기를 개막하는 성장의 한해가 될 것"이라며 "2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾을 계획"이라고 말했다.

메모리 사업은 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3/HBM3E 시장 주도권을 노린다. 12나노급 32Gb DDR5 D램를 활용한 128GB 대용량 모듈 개발하고 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 추진한다.

파운드리 전략은 모바일 AP 제품의 GAA 3나노 공정의 양산을 안정화 작업을 진행하면서, 오는 2025년에 GAA 2나노 선단 공정 양산을 준비한다.

더불어 오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정에서도 완성도를 높이겠다는 계획이다. 시스템LSI사업부의 SoC(System on Chip) 사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 강화할 방침이다.

이미지센서 사업은 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 시장 진출을 추진하고, LSI 사업은 DDI(Display Driver IC), PMIC(Power Management IC) 사업 구조를 개선한다. 이를 통해 SCM 효율을 높여 원가 경쟁력을 높일 방침이다. 

삼성전자 DS부문은 지난 2022년 수준을 회복할 것이라고 전망했다. DS부문의 2022년 매출은 98조4600억원이다. 지난해에는 66조5900억원으로 전년 대비 약 32조원 감소했다.

신사업으로는 어드밴스드 패키지(Advanced Package) 사업을 통해 2.5D 제품을 통해 1억달러 이상의 매출을 올리겠다는 목표다. 이외 2.xD, 3.xD, Panel Level 등의 사업도 함께 추진한다.

또 SiC(실리콘카바이드)/GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력 반도체와 AR 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발하여 2027년 시장에 진출한다.

이를 위해 연구투자도 이어간다. 삼성전자 DS부문은 오는 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입할 예정이다.

반도체연구소를 양적·질적 측면에서 2배로 확대하는 한편, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 늘려 기술 우위를 이어간다는 방침이다.

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