[디지털투데이 석대건 기자] SK하이닉스가 AI 메모리 HBM3E를 양산해 3월말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다.

SK하이닉스 측은 "HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다"며 "속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다"고 말했다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 칩이다. HBM3E은 5세대 제품으로, HBM3의 확장 버전이다. 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리한다.

특히 이번 제품에는 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용됐다. 이를 통해 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.

MR-MUF은 D램에 1024개의 초미세 구멍을 뚫는 실리콘관통전극(TSV) 공정 이후 적층 단계에서 칩과 칩 사이에 에폭시 밀봉재(EMC, Epoxy Molding Compound)를 주입해 굳히는 기술이다.

SK하이닉스는 한발 더 나아가 '어드밴스드 MR-MUF'을 통해 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어(Warpage control)도 향상시켰다고 설명했다.

류성수 SK하이닉스 HBM 비즈니스 담당(부사장)은 "당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다"며 "그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토털 AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 굳혀 나가겠다"고 말했다.