FPA-1200NZ2C 나노임프린트 노광장비 [사진: 캐논]
FPA-1200NZ2C 나노임프린트 노광장비 [사진: 캐논]

[디지털투데이 AI리포터] 일본 캐논이 네덜란드 ASML의 극자외선 (EUV) 노광장비 분야의 아성에 도전하기 위해 새로운 나노임프린트 노광(nanoimprint lithography) 시스템을 13일(현지시간) 공개했다.

캐논은 나노임프린트 노광 시스템이 5나노(nm) 공정과 동등한 수준의 반도체를 제조할 수 있으며, 최대 2나노까지 작아질 수 있는 잠재력이 있다고 주장했다. 이는 ASML의 EUV 노광장비와 직접적인 경쟁 구도를 이룰 수 있는 수준이다.

지난 2014년부터 10년간 투자한 나노임프린트 기술은 기존 광학 노광 방식과 특허를 우회하고 원하는 회로 패턴을 실리콘 웨이퍼에 직접 인쇄하는 것이다. 이러한 차별성 때문에 기존의 반도체 무역 제한 조치에서도 유리한 입지를 확보할 것이라는 이른 전망도 나온다. 다만, 캐논은 새로운 장비가 일본의 수출 제한 조치의 대상이 될 것인지에 대해 언급하지 않았다.

한때 전 세계 반도체 노광장비 시장을 주름잡던 캐논과 니콘은 반도체 공정 초미세화가 진행됨에 따라 10나노 이하 EUV 경쟁에서 네덜란드 ASML에 크게 뒤처져 있다. 이번에 공개된 캐논의 나노임프린트 노광 시스템은 ASML과 격차를 좁히는 데 도움이 될 수 있다는 분석이다.

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