차세대 디스플레이용 소자로 마이크로 발광다이오드(LED)의 가능성을 타진하고 있는 애플이 기존 연구개발하던 방식과는 다른 기술을 검토한다. 마이크로 LED는 에피웨이퍼 성장 기술은 물론 이를 기판에 옮기는 ‘전사(transfer)’ 기술이 핵심인 만큼 모든 가능성을 열어두기로 했다.

마이크로 LED 전사 공정은 사파이어 웨이퍼 위에 성장한 질화갈륨(GaN) 층을 떼어다가 디스플레이의 트랜지스터 위에 올려 놓는 작업이다. 기존 LED라면 전사에 큰 어려움이 없겠지만, 마이크로 LED는 한 변의 길이가 100마이크로미터(μm) 이하에 불과하다. 이처럼 작은 마이크로 LED는 집는 것도 어렵고, 정확한 위치에 올려 놓는 것도 현재 기술로는 구현이 매우 까다롭다.

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