[아이티투데이 김문기 기자] 인텔과 마이크론이 낸드와 비교시 1000배 빠른 속도를 갖춘 새로운 메모리 기술을 공개했다.

인텔(대표 브라이언 크르자니크)은 29일 서울 삼성동 코엑스인터컨티넨탈 호텔에서 기자간담회를 갖고 마이크론과 함께 새로운 비휘발성 메모리 기술인 ‘3D 크로스 포인트’ 기술을 공개했다. 인텔은 새로운 기술을 통해 대용량의 데이터에 빠른 엑세스가 필요한 다양한 기기, 애플리케이션 및 서비스의 혁신을 가속화시켜 줄 것이라고 자신했다.

인텔에 따르면 3D 크로스 포인트 기술은 1989년 낸드 플래시가 소개된 이래 최초로 등장한 새로운 메모리 카테고리다. 서비스 제공업체와 시스템 제조사들이 메모리나 스토리지 솔루션을 설계하는 데 있어 가격, 전력소비, 성능이라는 3가지 요소의 균형점을 찾아야 하는데, 그 대안이 ‘3D 크로스 포인트 기술’이라는 설명이다.

3D 크로스 포인트 기술은 성능, 집적도, 전력소비, 비휘발성 및 가격 이점 등 현재 시장에서 가능한 모든 메모리 기술의 장점을 결합했다. 낸드와 비교 시 1000 배 빠른 속도와 1000배 증가된 내구성, 기존의 일반 메모리와 비교 시 10배 향상된 용량 등의 성능을 제공한다는 게 인텔 측의 설명이다.
 

인텔 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 수석 부사장 겸 총괄 매니저인 롭 크루크는 “수 십 년간 업계는 프로세서와 데이터 간의 지체 시간을 줄여서 보다 빠른 분석이 가능한 방법을 찾아왔다” 라며, “이번에 발표한 새로운 차원의 비휘발성 메모리는 메모리 및 스토리지 솔루션 분야의 업계 판도를 완전히 바꿀 새로운 성능을 제공해줄 것” 이라고 말했다.

3D 크로스 포인트 기술은 크로스 포인트 어레이(Cross Point Array) 구조로 구성됐다. 1,280억 개의 고밀도 패킹 메모리 셀이 수직의 전도체로 연결되어 있고 각 메모리 셀은 데이터 1비트(bit)를 저장할 수 있다. 단순화된 구조로 고성능, 고집적도의 비트를 구현할 수 있다.

촘촘한 크로스 포인트 어레이 구조뿐만 아니라 메모리 셀은 여러 레이어(layer)로 쌓이는 형태를 띤다. 현재는 2개의 메모리 레이어에 다이당 128Gb를 저장할 수 있다. 향후 후속 연구를 통해 기존의 리소그래피 피치 확장 방식에 더해 더 많은 메모리 레이어를 활용할 수 있게 된다.

각 셀렉터로 보내지는 전압량을 다양하게 해 메모리 셀이 쓰기 또는 읽기를 선택할 수 있다. 트랜지스터가 필요 없어지면서 용량은 늘고 비용은 절감할 수 있게 된다. 작은 셀 사이즈, 빠른 스위칭 셀렉터, 지연시간이 적은 크로스 포인트 어레이, 빠른 읽기 알고리즘을 통해 빠른 상태 전환이 가능하다.
 

3D 크로스 포인트 기술은 올해말 샘플링이 시작된다. 인텔 및 마이크론은 3D 크로스 포인트 기술에 기반한 제품들을 각각 개발 중에 있다.

한편, 지난 1분기 글로벌 낸드플래시 시장에서 한국이 점유율 50%대를 회복한 바 있다. 삼성전자는 35.3%를, SK하이닉스는 15.2% 기록해 각각 1위와 4위 자리에 안착했다. 특히 삼성전자는 타 업체 대비 초격차 전략을 통해 메모리 사업 지배력을 보다 공고히 하고 있다. 2위인 도시바는 28.8%, 3위 마이크론은 20.6%로 3위를 수성했다.