[디지털투데이 김양하 기자] 삼성전자가 'Adding One More Dimension'을 주제로 '삼성 파운드리 포럼 2021'을 개최하고 신기술을 소개했다.
삼성전자는 온라인으로 열린 이번 포럼에서 'GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획'과 '17나노 신공정 개발' 등을 소개했다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 기조연설에서 "대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고, GAA 등 첨단 미세공정 뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것"이라고 밝혔다.
이번 '삼성 파운드리 포럼 2021'은 역대 파운드리 포럼 중 가장 많은 500개사, 2000명 이상의 팹리스 고객과 파트너들이 사전 등록하며 높은 관심을 보였다.
◇ "GAA 기술 양산 준비 중"
GAA 기술은 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적이다.
삼성전자는 2022년 상반기 GAA 기술을 3나노에 도입하고, 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산 계획을 밝히며 차세대 트랜지스터 기술 선점에 대한 자신감을 나타냈다.
특히, 삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET™(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소할 것으로 예상된다.
또한, 3나노 공정의 경우 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산을 위한 준비가 이루어지고 있다고 밝혔다.
◇ 핀펫기반 17나노 신공정 개발
삼성전자는 비용적인 측면에서의 효율성과 응용 분야별 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하기 위해 핀펫 기술을 계속 개선했으며, 이번 포럼을 통해 핀펫 기반 17나노 신공정을 선보였다.
17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되고, 면적은 43%가 감소될 것으로 보인다.
특히, 이미지센서, 모바일 디스플레이 드라이버 IC 등의 제품에도 17나노 신공정을 적용할 수 있어 다양한 응용처로의 확대 가능성도 보여줬다.
또한, 삼성전자는 기존 14나노 공정을 3.3V 고전압, eMRAM 지원 등 MCU(Micro Controller Unit)에 적용할 수 있는 다양한 옵션을 개발해 IoT, 웨어러블 기기 등 핀펫 공정의 응용처 다변화를 지원하며, 8나노 RF(Radio Frequency) 플랫폼의 경우 5G 반도체 시장에서 6GHz 이하 mmWave 제품에서의 리더십을 확보한다는 계획이다.
한편, 삼성전자는 파운드리 고객과 파트너사의 생태계 강화를 위한 세이프 포럼(SAFE, Samsung Advanced Foundry Ecosystem)을 11월 온라인으로 개최할 예정이다.
영상=디지털투데이 디퍼뉴스 데일리픽
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