[디지털투데이 양대규 기자] 중국의 칭화유니그룹은 지난달 충칭정부와 D램(DRAM) 생산용 R&D센터와 웨이퍼 팹을 설립하는 계약을 체결했다고 밝힌 바 있다. 충칭 량장신구에 들어설 이 시설은 2019년 말경 착공해 2021년 완공될 예정이다.

최근 트렌드포스에 따르면, 이와 같은 사건들이 메모리 제품 공급에서 자급자족을 이루겠다는 중국의 확고한 의지를 보여주는 또 다른 징표라고 해석했다. 미·중 무역분쟁의 지속적 확대와 미국 정부의 JHICC 블랙리스트 작성은 중국 정부가 국내 D램 산업 건설을 위한 노력을 배가시킬 수밖에 없게 만들었다는 것이다.

지난달 30일 칭화유니그룹은 다이오 시징 전 미아이츠 이사와 찰스 카오 CEO를 통해 DRAM 사업부를 설립했다는 내용의 성명을 발표했다. 이에 트렌드포스는 “DRAM 사업부의 설립은 칭화유니그룹과 국가가 협력관계를 더욱 심화시켰다는 신호”라며, “이 조치는 또한 중국이 보다 진보된 메모리 제품을 포함하도록 국내 반도체 제조를 확대하는데 전념하고 있음을 분명히 한다”고 분석했다.

지난 5일 트렌드포스의 평가에 따르면, 칭화유니그룹의 DRAM 사업부는 칭화유니그룹은 JHICC, CXMT와 달리 결정적인 전문지식을 제공할 수 있는 외부 파트너가 없기 때문에 공정기술 개발에 난항을 겪을 것으로 전망된다.

JHICC는 미국 정부의 엔티티 리스트에 존재하는 것과 관계없이 UMC와의 이전 파트너십으로부터 상당한 노하우를 이미 획득한 것으로 알려졌다. JHICC는 UMC 덕에 제품과 기술 개발 계획이 일부 원활하게 진행될 전망이다. 또한 CXMT는 D램 제품 개발을 위해 키몬다로부터 핵심 기술 라이선스를 취득했다.

하지만 칭화유니그룹의 경우 IC디자인 자회사인 유니그룹궈신마이크로일렉트로닉스가 메모리 제품 설계를 지원하는 R&D 능력을 갖췄다. 하지만 DRAM 사업부는 생산 측면에서 필요한 지원이 없는 것으로 나타났다.

전문가들은 칭화유니그룹이 독자적으로 DRAM 공정을 구축해야 한다면 모든 노력이 3년에서 5년 정도 걸릴 수 있다고 분석했다. 충칭의 팹이 완공되어 계획대로 2021년에 실제로 소량 생산을 시작한다고 해도, 팹에서의 운영이 규모의 경제에 도달하기까지는 상당한 시간이 걸릴 전망이다.

(사진=Pexels)
(사진=Pexels)

트렌드포스는 “칭화유니그룹은 공정기술 R&D 능력이 부족하기 때문에 DRAM 사업부를 강화할 수 있는 산업인재를 유치할 수 있는 가오 대표의 능력에 기대를 걸고 있다”며, “가오의 칭화유니그룹 5년 임기는 2020년에 끝난다는 점도 주목할 만하다. 그의 임기가 끝날지 여부는 그 재벌의 DRAM 전략에 영향을 미칠지 여부에 대한 면밀한 관찰이 필요한 부분”이라고 강조했다.

또한 트렌드포스는 칭화유니그룹의 DRAM 시장 진출 시도가 이번이 처음이 아니라는 점을 지적했다. 당초 그룹은 이르면 2014년 DRAM 제품을 개발할 것을 결의했다. 하지만 국가 지원 기관인 칭화유니그룹은 산업 성장과 지역 경제 발전의 균형을 맞추는 더 넓은 전략을 고려해야 하기 때문에 이 계획은 보류됐다. 낸드 플래시를 먼저 개발하게 된 것이다.

트렌드포스는 “칭화유니그룹이 DRAM으로 다시 전환한 이유 중 하나는 미국 정부가 JHICC에 부과한 기술수출 제한 때문”이라며, “지난해 11월부터 시행되고 있는 제재는 JHICC의 생산 일정과 연구개발 로드맵에 불확실성을 추가했다. 다른 중국 DRAM 제조업체인 CXMT는 올해 말 대량생산을 시작할 예정이지만 아마 2020년 말까지는 큰 폭의 생산은 없을 것으로 예상된다”고 분석했다.

중국 정부는 하나의 메모리 업체가 DRAM 공급의 자급자족화 추진을 주도하기에는 역부족으로 보고 있다는 것이다. 결국 칭화유니그룹은 다른 중국 메모리 회사들이 직면하고 있는 도전과 미국과 중국 간 국제 무역의 긴장감 조성 등 외부 요인 때문에 DRAM 제품 개발과 제조라는 임무를 다시 맡게 된 셈이다.

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