삼성전자와 SK하이닉스가 신규 투자 속도를 조절한다.

30일 업계에 따르면 삼성전자는 하반기 계획됐던 D램과 낸드플래시 신규 투자를 내년으로 미뤘다. 보완·전환 투자에 집중, 수익성 확보에 전념하겠다는 전략이다. 

SK하이닉스는 하반기 D램보다 낸드 투자에 집중할 전망이다. D램은 보완·전환 투자를 위주로 집행하고 낸드는 신규 투자를 앞당기기로 했다.

삼성전자 평택 공장 2층(P-2)은 원래 3D낸드플래시 전용으로 계획했다 D램 라인을 구축하기로 한차례 변경됐다. 올해 서·동 라인에 각각 5~6만장, 7~9만장 규모 D램을 꾸리려고 했지만 서쪽 라인만 투자를 완료했고 동쪽 라인은 생산 시기를 미뤘다. D램 미세공정화 속도도 다소 조절됐다. 서쪽을 1x나노로 구축한 다음 동쪽에 1y나노 공장을 마련할 계획이었지만 1y나노 투자가 연기 됐기 때문이다. 

이유는 공정 난이도가 증가하면서 비트그로스(Bit growth) 상승률이 이전의 절반 밖에 되지 않은데다 수요가 생각보다 빠르게 늘지 않아서다. 인공지능(AI), 그래픽, 서버 시장에서는 그래픽D램(GDDR)보다 20나노 D램 기반 고대역폭메모리(HBM)를 선호한다. 자율주행 시장은 아직 열리지도 않았다.

내년 5세대(5G) 이동통신을 준비해야하는 모바일 시장에서도 1x나노 기반 저전력D램(LPDDR)4 및 LPDDR4X로 충분하다. 삼성전자가 개발한 LPDDR5도 1x나노 기반이다.

SK하이닉스 또한 하반기 우시 2공장(C2)에 D램 라인 건설 인프라 확충 및 전환·보완 투자를 진행한다. C2는 클린룸 내장재 작업부터 배관 등 인프라까지 6개월 정도가 소요, 연내 확장 작업만 끝낼 전망이다. 전환·보완 투자 규모는 크지 않을 것으로 업계는 예측했다.

장비 업계 관계자는 “양사 모두 생산량(capa)보다 수율을 높이고 전환·보완 투자를 진행, 수익성을 극대화하겠다는 전략”이라고 설명했다.

낸드 플래시 시장 점유율 확대에 사활을 걸고 있는 SK하이닉스는 앞서 2분기 실적 발표 당시 설명했던 것과 마찬가지로 청주 M15 장비 입고 시기를 2~3달 앞당긴다. 

하반기부터 장비 반입을 시작, 빠르면 내년 2월께부터 양산 체제에 돌입할 것으로 보인다.