삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM)2 중 8기가바이트(GB) 제품 생산 비중을 내년 상반기 50%까지 늘린다. 올해 하반기부터 5G 통신망 시범 서비스가 시작되면서 통신 장비 메모리의 응답 속도와 용량이 대폭 커진다. 동영상 해상도가 높아지는 것도 그래픽카드의 D램 교체를 촉발하는 요인이다. 

삼성전자(대표 권오현)는 8GB HBM2 D램 양산 규모를 늘려 기존 슈퍼컴퓨터(HPC) 외에 네트워크 장비와 그래픽카드 시장까지 공급한다고 18일 밝혔다.

이 제품은 지난해 6월부터 생산을 시작해 구글 인공지능(AI) 서비스용 슈퍼컴퓨터에 쓰였다. 초당 256GB 속도로 데이터를 전송한다. 20GB 용량의 초고선명(UHD)급 영화 13편을 1초에 내려 받을 수 있는 속도다. 기존 그래픽 D램인 8기가비트(Gb) GDDR5(8Gbps) 전송속도인 초당 32GB보다 8배 빠르다. 

HBM은 D램을 여러층 쌓고, 데이터 이동 통로를 수직으로 뚫어 하부 기판까지 연결하는 기술이다. 반도체 칩 외부로 금속 와이어를 이어 붙이는 방식이나 칩 하단부에 금속 구 모양의 솔더볼을 붙여 전극을 연결하는 것보다 신호 전달 속도가 빠르고, 칩을 적층할 수 있다는 장점이 있다.  

삼성전자는 이 제품에 실리콘관통전극(TSV) 설계, 발열 제어 기술 등 850여건의 독자 특허가 적용됐다고 설명했다. 8GB HBM2는 1개 버퍼칩 위에 20나노 공정에서 생산한 8Gb D램 칩 8개를 적층했다. 각 칩에 5000개 이상의 미세한 구멍을 뚫어 약 4만개 이상의 TSV 접합볼로 수직 연결했다. 대용량 정보를 처리할 때 일부 TSV에서 지연 현상이 나타나면 다른 TSV로 경로를 전환해 속도를 유지한다. 

4GB HBM2 D램과 동일한 크기지만 용량이 2배라 시스템 소비전력 효율도 2배 높였다. 

한재수 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급 확대로 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다"고 말했다.